· 濕法腐蝕

包含堿性KOH，TMAH、金腐蝕等腐蝕和酸性HF，BOE，HCI，HNO3，H2SO4，HAc等腐蝕

· 光刻膠剝離

丙酮，異丙醇

· ICP刻蝕（電感耦合等離子刻蝕）

GaN，GaAs，InP

· 深硅刻蝕DRIE

刻蝕均勻性<±5%，選擇比＞50:1

· 深氧化硅刻蝕

石英，玻璃，硅，刻蝕形貌：90°±1°

·  IBE刻蝕（離子束刻蝕）

用于較難刻蝕的金屬或其他物質

· RIE刻蝕（反應離子刻蝕）

Si，SiO?，SiNx

· Plasma（灰化）

光刻膠，PI（聚酰亞胺）