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  • 硅晶體,由于其優(yōu)異的各項性能,以及其易于加工的各向參數,被稱(chēng)作是21世紀最為重要的材料之一
  • 硅晶體的腐蝕可以分為各向同性腐蝕和各向異性腐蝕,各向同性腐蝕往往采用硅的氧化、氧化態(tài)硅的氫氟酸類(lèi)反應、反應物溶解的過(guò)程,但由于其對于掩膜的選擇性很低,在實(shí)際體加工過(guò)程中應用并不多,在化學(xué)拋光中應用比較廣泛。
  • 在前面兩篇文章中,我們針對硅晶體結構及硅晶體各向異性腐蝕的原理進(jìn)行了分析,然而在實(shí)際的硅腐蝕工藝中,硅濕法腐蝕的影響因素很多,如:硅片的質(zhì)量(晶向偏差,晶體缺陷等)、溫度、攪拌、圖形尺寸(即狹縫效應)、腐蝕劑濃度、添加劑、表面缺陷等等
  • 回答這個(gè)問(wèn)題,首先我們要了解一個(gè)概念:隧道效應。了解了隧道效應,我們就很容易理解為什么離子注入要傾角。因為注入方向和晶圓有一定傾角后,注入離子與晶圓內部的原子碰撞概率提高,而抑制了隧道效應的產(chǎn)生。那為什么一定是7°傾角呢?