· 金屬有機物化學(xué)氣相沉積

GaN，GaAs

· 化學(xué)氣相沉積

SIC

· 離子注入

B，P，F(xiàn)，Al，N，Ar，H，He，Si

· 高溫氧化

1150℃

· 高溫擴散/退火

900℃-1100℃

· 快速退火

150℃-1000℃

· MPCVD（微波等離子體化學(xué)氣相沉積）

Si上多晶金剛石的外延生長