近年來(lái)，我國(guó)集成電路行業(yè)迅速發(fā)展，在發(fā)展過(guò)程中受到了很多技術(shù)和知識(shí)版權(quán)的阻礙，從限制華為的芯片代工導(dǎo)致其手機(jī)市場(chǎng)占有率大幅下降、停止高性能的GPU供應(yīng)以及限制各種仿真軟件的版權(quán)并停止對(duì)中國(guó)授權(quán)等等，其中我們最常聽(tīng)說(shuō)的就是光刻機(jī)及光刻工藝，下面將為大家簡(jiǎn)單介紹光刻過(guò)程，以便于理解。

  在介紹光刻之間，我們首先要了解以下幾個(gè)材料：

1）襯底：即組成成分為單晶硅的硅片。

2）掩膜板：以透明的石英或者玻璃為主體，表面濺射或蒸鍍一層不透光的鉻金屬，再根據(jù)設(shè)計(jì)的版圖將鉻腐蝕形成對(duì)應(yīng)的透光區(qū)，其結(jié)構(gòu)如圖1所示。

圖1.掩膜板頂視圖（左）和掩膜版立體圖（右）

3）光刻膠：又稱光致抗蝕劑，是指通過(guò)紫外光、電子束、離子束、X射線等的照射或輻射，其溶解度發(fā)生變化的耐蝕劑刻薄膜材料。分為正膠和負(fù)膠，正膠受到光照的部分化學(xué)性質(zhì)改變，能夠被堿性顯影液溶解，即受到光照部分形成孔洞；負(fù)膠與正膠相反，受到照射的部分不容易被顯影液溶解，即受到光照的部分被留下。

4)顯影：在正性光刻膠的曝光區(qū)和負(fù)性光刻膠的非曝光區(qū)的光刻膠在顯影液中溶解，在光刻膠上形成三維圖形的一種光刻技術(shù)。其中，顯影液是溶解由曝光造成的光刻膠的可溶解區(qū)域的一種化學(xué)溶劑。

  了解了光刻材料后，可以根據(jù)下述圖例進(jìn)行深入理解：

1、采用光刻膠的正膠，其光刻過(guò)程如圖2所示：首先，在硅片上旋涂光刻膠（正膠）并對(duì)其進(jìn)行軟烘提高附著力，然后，進(jìn)行光刻機(jī)、掩膜版以及襯底的對(duì)準(zhǔn)以便能夠?qū)⒀谀ぐ嫔系膱D形精確地轉(zhuǎn)移到襯底上，再經(jīng)過(guò)曝光后，受到紫外光照射的部分易被顯影液溶解去除，最后，經(jīng)過(guò)顯影后留下未被照射的部分。

圖2. 采用正膠光刻基本流程

2、采用光刻膠的負(fù)膠，其光刻過(guò)程如圖3所示：負(fù)膠的光刻流程相同，只不過(guò)由于負(fù)膠的特性，其受到光照的位置不易被顯影液所溶解，故在經(jīng)過(guò)曝光、顯影后留下部分是受到光照的部分。

圖3. 采用負(fù)膠光刻基本流程

以上是對(duì)光刻過(guò)程簡(jiǎn)單的闡述，以方便理解。實(shí)際的光刻過(guò)程要復(fù)雜的多，例如，掩膜版與光刻機(jī)、襯底的距離、光刻膠的相關(guān)參數(shù)、顯影液的溶解去除效果等等，都會(huì)對(duì)最終制備的產(chǎn)品產(chǎn)生關(guān)鍵的影響。芯云納米一直致力于對(duì)制備工藝的控制、優(yōu)化、創(chuàng)新，以制備優(yōu)良的器件，滿足客戶需要。