現(xiàn)代集成電路中，場(chǎng)效應(yīng)管逐漸替代BJT雙極結(jié)型晶體管（傳統(tǒng)三極管）成為主流。因?yàn)橄噍^于BJT三極管，場(chǎng)效應(yīng)管具有輸入阻抗高，工作電流小的優(yōu)點(diǎn)。由此構(gòu)成的集成電路具有功耗小熱噪小的優(yōu)點(diǎn)。一個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管的剖面圖如下圖，具有柵極、源極、漏極。其中源極和漏極電流可反相，而柵極制作于薄二氧化碳硅之上。

場(chǎng)效應(yīng)管分為P型溝道-N型襯底與N型溝道-P型襯底，一般集成電路同時(shí)需要兩者以完成電平的轉(zhuǎn)換。P型場(chǎng)效應(yīng)管一般連接電源端，N型場(chǎng)效應(yīng)管一般連接接地。集成電路多使用P型晶圓襯底，因此N型管可以直接制作在襯底上，而P型管需要“N阱”進(jìn)行隔離。當(dāng)場(chǎng)效應(yīng)管的柵極被施加電壓時(shí)，電子被吸引形成導(dǎo)電溝道，從而源極漏極導(dǎo)通。如下圖所示。

當(dāng)柵極源極電壓Vgs超過閾值后，當(dāng)Vgs衡定，源極-漏極電流恒定。當(dāng)Vgs小于閾值時(shí)，場(chǎng)效應(yīng)管的V-I曲線類似于電阻，因此稱為電阻區(qū)。當(dāng)Vgs過大，器件造成擊穿，此時(shí)電流會(huì)失去控制。

當(dāng)Vgs超過閾值后，Vgs與其控制電流的對(duì)應(yīng)關(guān)系接近線性，如下圖。